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2.具有納米材料制備、材料性能表征、相變流動(dòng)傳熱傳質(zhì)、有限元分析等至少一個(gè)方面的豐富經(jīng)驗(yàn)和學(xué)術(shù)功底；

3.熟悉光刻、刻蝕、蒸發(fā)、剝離、沉積、酸堿處理等各單步工藝及其工藝流程的整合優(yōu)先考慮。

2.負(fù)責(zé)cvd材料生長(zhǎng)工藝研發(fā)，配合其他人員開(kāi)展材料制備工作；

3.負(fù)責(zé)微納加工，協(xié)助完成項(xiàng)目目標(biāo)；

4.為實(shí)驗(yàn)室的前沿科學(xué)探索項(xiàng)目提供技術(shù)支持。

1.年薪14-50萬(wàn)元，提供具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬,具體工資一人一議。特別優(yōu)秀者年薪可達(dá)50萬(wàn)元以上。

2.良好的校園工作環(huán)境，正常的工作時(shí)間（無(wú)三班倒），享受國(guó)家法定節(jié)假日，提供靈活的寒暑假期，寒暑假天數(shù)和績(jī)效掛鉤，績(jī)效優(yōu)異者或做出重大貢獻(xiàn)者，可增加至三周假期。

3.根據(jù)工作表現(xiàn)，提供有競(jìng)爭(zhēng)性年終獎(jiǎng)，重大突出成就或貢獻(xiàn)者，高達(dá)6個(gè)月的績(jī)效獎(jiǎng)。

4.提供子女就讀交大附屬學(xué)校機(jī)會(huì)，表現(xiàn)優(yōu)異者提供入編機(jī)會(huì)。

（二）博士后

1.博士后崗位綜合年薪24-50萬(wàn)元。支持申請(qǐng)“勵(lì)遠(yuǎn)博士后”：入選者在站期間若獲得“中國(guó)博士后創(chuàng)新人才計(jì)劃支持”或“上海市超級(jí)博士后激勵(lì)計(jì)劃”資助，在計(jì)劃執(zhí)行期間，薪酬不低于50萬(wàn)元/年。

2.博士后按照上海市和上海交通大學(xué)博士后管理政策辦理有關(guān)落戶事宜，可享受博士后公寓，博士后出站若留上海工作，配偶及子女可隨遷落戶。

3.博士后取得優(yōu)秀科研成果、滿足上交教研系列要求者，經(jīng)評(píng)估后可推薦留校獲教軌教職。

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2.組裝零部件，實(shí)現(xiàn)整機(jī)功能；

3.解決在科研實(shí)驗(yàn)或設(shè)備工具的問(wèn)題，提供后續(xù)設(shè)備改進(jìn)工作目標(biāo)

2.有集成電路前端設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)最好，無(wú)工作經(jīng)驗(yàn)的需有扎實(shí)的ic設(shè)計(jì)背景和開(kāi)疆拓荒的熱情；

3.熟悉使用數(shù)字前端eda工具，熟悉掌握verilog硬件描述語(yǔ)言，熟悉perl、shell等常用腳本語(yǔ)言；

2.參與流片后的測(cè)試工作；

2.在自動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)和搭建方面有豐富經(jīng)驗(yàn)，熟悉常見(jiàn)通訊方式及原理，至少熟悉一門編程語(yǔ)言，對(duì)嵌入式開(kāi)發(fā)或上位機(jī)開(kāi)發(fā)有豐富的經(jīng)驗(yàn)。

3.具有廣泛的計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)知識(shí)，熟悉通用操作系統(tǒng)、辦公軟件，熟悉局域網(wǎng)和無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，了解數(shù)據(jù)庫(kù)和網(wǎng)絡(luò)安全系統(tǒng)，能夠解決復(fù)雜的軟件和硬件問(wèn)題。

2.參與設(shè)備搭建和改造，主導(dǎo)完成設(shè)備自動(dòng)化控制研發(fā)；

3.管理軟件許可證，維護(hù)和升級(jí)現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)；

4.工作站并行計(jì)算作業(yè)管理器的設(shè)置和優(yōu)化；

5.維護(hù)軟硬件升級(jí)記錄，維護(hù)設(shè)備操作規(guī)程及軟件使用策略；

6.協(xié)助參與其他實(shí)驗(yàn)室建設(shè)和相關(guān)管理工作。

2.擁有相關(guān)儀器設(shè)備的搭建維護(hù)工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；

2.采用多種表征技術(shù)，特別是基于電學(xué)模式原子力顯微鏡的表征技術(shù)，對(duì)二維材料與電子器件進(jìn)行包括電學(xué)特性在內(nèi)的多重性質(zhì)表征；

3.協(xié)助pi開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)新技術(shù),協(xié)助研究團(tuán)隊(duì)的科研工作,為實(shí)驗(yàn)室提供專業(yè)的技術(shù)支撐；

4.其它與科研相關(guān)的工作

2.申請(qǐng)人需具有博士學(xué)位或即將完成博士學(xué)業(yè)。

3.申請(qǐng)人需擁有材料生長(zhǎng)和合成基礎(chǔ)，并在納米材料表征方向（拉曼光譜，掃描電子顯微鏡，穿透式電子顯微鏡，光譜橢圓偏振等）有一定經(jīng)驗(yàn)。有接觸真空設(shè)備的操作和維護(hù)經(jīng)驗(yàn)的申請(qǐng)人優(yōu)先考慮。

4.申請(qǐng)人能夠參加實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的搭建活動(dòng)，并積極學(xué)習(xí)和研究各類軟硬件的操作方式。有l(wèi)abview和編程經(jīng)驗(yàn)的申請(qǐng)人優(yōu)先考慮。

2.受聘者需有吃苦耐勞精神，能夠解決項(xiàng)目中的相關(guān)問(wèn)題，協(xié)助搭建和維護(hù)mocvd設(shè)備，優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，并積極與實(shí)驗(yàn)室其他團(tuán)隊(duì)合作，為實(shí)驗(yàn)室電子器件制備提供支持。

3.受聘者需定期匯報(bào)和總結(jié)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，在期刊雜志上發(fā)表文章，并擁有在國(guó)內(nèi)國(guó)際會(huì)議上發(fā)表演講的能力。

2.具有固態(tài)物理器件，半導(dǎo)體物理相關(guān)背景的優(yōu)先考慮；

3.精通于量子計(jì)算（dft-negf）

2.通過(guò)計(jì)算模擬（密度泛函理論(dft)及第一性原理技術(shù)）的方式研究和尋找合適的材料。

3.通過(guò)量子或者經(jīng)典的輸運(yùn)模型評(píng)測(cè)某種材料的器件表現(xiàn)。

4.涉及與實(shí)驗(yàn)小組的密切合作，以驗(yàn)證預(yù)測(cè)、驗(yàn)證結(jié)果和解釋觀察結(jié)果。

2.具有原子力顯微鏡、電學(xué)模式原子力顯微鏡或半導(dǎo)體材料表征相關(guān)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

2.根據(jù)項(xiàng)目需求，采用多種表征技術(shù)，特別是基于電學(xué)模式原子力顯微鏡的表征技術(shù)，對(duì)二維材料與電子器件進(jìn)行包括電學(xué)特性在內(nèi)的多重性質(zhì)表征，并與其他團(tuán)隊(duì)合作，解決項(xiàng)目中的相關(guān)問(wèn)題。

2.具有二維器件、鐵電功能器件或二維納米材料表征相關(guān)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

2.根據(jù)項(xiàng)目需求，設(shè)計(jì)并開(kāi)發(fā)高性能高可靠性電子器件技術(shù)，包括相關(guān)器件的設(shè)計(jì)、制備以及測(cè)試表征等。

3.定期匯報(bào)和總結(jié)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，申請(qǐng)相關(guān)方向?qū)＠?，發(fā)表高水平研究論文。

2.有豐富的實(shí)驗(yàn)科研經(jīng)歷，對(duì)制造技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)有比較全面的了解。

3.熟悉工程經(jīng)濟(jì)學(xué)，經(jīng)濟(jì)學(xué)基本原理。

4.思維活躍，優(yōu)秀的邏輯分析、歸納總結(jié)及解決問(wèn)題能力。

5.具有半導(dǎo)體企業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)，或在研究機(jī)構(gòu)/券商擔(dān)任過(guò)半導(dǎo)體行業(yè)分析研究工作優(yōu)先。

2.準(zhǔn)確估計(jì)現(xiàn)有技術(shù)的成本，

3.通過(guò)與現(xiàn)有技術(shù)成本的比較，分析新技術(shù)的成本競(jìng)爭(zhēng)力，并給予反饋，優(yōu)化新技術(shù)的研發(fā)過(guò)程。

2.熟悉一個(gè)或多個(gè)主流eda工具 （cadence virtuoso，ic compiler synopsis, calibre mentor graphics等）；

3.具有良好的科研能力和中英文寫作水平，以第一作者身份發(fā)表過(guò)高檔次研究論文。

2.探索基于新型二維材料/柔性電子器件的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化；

3.探索基于新型二維材料/柔性電子器件在可穿戴設(shè)備， 智能iot以及人機(jī)接口的應(yīng)用。

2.具有固態(tài)物理器件，半導(dǎo)體物理或者電路設(shè)計(jì)的背景。

3.精通于量子計(jì)算（dft-negf），器件模擬（tcad）。

2.主要課題包括：

a）為器件的應(yīng)用通過(guò)計(jì)算模擬的方式研究和尋找合適的材料。

b）通過(guò)量子或者經(jīng)典的輸運(yùn)模型評(píng)測(cè)某種材料的器件表現(xiàn)。

c）通過(guò)tcad開(kāi)發(fā)不同的器件模型，為新型晶體管比如納米線晶體管或finfet設(shè)計(jì)電路。