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　　一、課題組簡(jiǎn)介及博士后研究方向

　　復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期從事集成電路工藝、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料的研究。自1997年以來課題組承擔(dān)國(guó)家863、國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重大科技專項(xiàng)、上海市重大重點(diǎn)項(xiàng)目等20多項(xiàng)。先后在Science，Nature Nanotechnology, Nature Materials, IEEE Electron Device Letters，IEDM等國(guó)際學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表論文200多篇，申請(qǐng)專利180多項(xiàng)，其中美國(guó)專利39項(xiàng)。課題組在相關(guān)領(lǐng)域的研究達(dá)到世界先進(jìn)水平，提供領(lǐng)先的研究平臺(tái)及工作條件。

　　目前課題組就“先進(jìn)CMOS器件(FinFET)的可靠性與模型研究”研究方向招收博士后1名，誠摯邀請(qǐng)研究熱衷于微電子先進(jìn)CMOS器件領(lǐng)域的博士后加入我們的團(tuán)隊(duì)。作為博士后研究員，您將與我們的團(tuán)隊(duì)密切合作，致力于開發(fā)和優(yōu)化先進(jìn)CMOS器件技術(shù)，共同探索先進(jìn)器件設(shè)計(jì)、制造和表征等方面的挑戰(zhàn)，為下一代芯片技術(shù)的發(fā)展做出重要貢獻(xiàn)。本招聘通知長(zhǎng)期有效。

　　二、應(yīng)聘條件

　　1.已獲得或即將獲得國(guó)內(nèi)外高校、科研院所的博士學(xué)位;

　　2.有志從事科學(xué)研究，具有強(qiáng)烈的科研興趣，有意從事先進(jìn)CMOS器件領(lǐng)域研究;

　　3.具有積極向上的工作熱情，優(yōu)秀的學(xué)習(xí)能力，良好的學(xué)術(shù)道德和團(tuán)隊(duì)合作精神，能獨(dú)立開展科研工作;

　　4.具有微電子、電子工程、物理學(xué)、材料學(xué)等相關(guān)學(xué)科博士學(xué)位，有先進(jìn)CMOS器件制造和表征方面經(jīng)歷者優(yōu)先考慮;

　　5.在重要學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表過高水平論文。

　　三、工作待遇

　　1.年薪30-45萬，特別優(yōu)秀者可以面議。

　　2.提供優(yōu)越的科研條件和穩(wěn)定的支持，鼓勵(lì)博士后按照國(guó)家和地方相關(guān)政策申報(bào)博士后基金等各項(xiàng)基金。

　　3.博士后公寓、戶口和子女入學(xué)按照學(xué)校規(guī)定執(zhí)行。

　　4.實(shí)驗(yàn)室將為博士后的職業(yè)發(fā)展提供規(guī)劃指導(dǎo)，復(fù)旦大學(xué)將優(yōu)先考慮優(yōu)秀博士后留校任職發(fā)展。

　　四、聯(lián)系方式

　　如果您對(duì)微電子先進(jìn)CMOS器件領(lǐng)域的研究充滿熱情，具備上述要求，并愿意加入我們的團(tuán)隊(duì)，歡迎您將個(gè)人簡(jiǎn)歷發(fā)送至[email protected]。標(biāo)題請(qǐng)注明“博士后應(yīng)聘+姓名+畢業(yè)院校”，來信時(shí)請(qǐng)附上個(gè)人簡(jiǎn)歷及代表作三篇(公開發(fā)表論文或博士論文章節(jié))，并注明預(yù)計(jì)能夠進(jìn)站時(shí)間。應(yīng)聘材料恕不退還，單位將予以保密。本招聘長(zhǎng)期有效，熱誠歡迎海內(nèi)外優(yōu)秀青年加盟。

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　　https://hr.fudan.edu.cn/c0/ea/c15369a508138/page.htm