發(fā)布:2023-10-21 07:44:03 關(guān)注:10412次
人才引進(jìn)工作地區(qū):上海
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招聘 崗位 |
專任副研究員1名(所屬任務(wù):3-5nm) |
崗位 職責(zé) |
1. FinFET及GAA器件的設(shè)計(jì)及工藝整合。 2. SiGe材料外延工藝開發(fā)。 3. 面向先進(jìn)工藝的DTCO技術(shù)研究。 |
招聘條件 |
1. 擁護(hù)黨和國家的各項(xiàng)方針政策,遵守法律法規(guī),品行端正;身體健康,心理素質(zhì)良好;愛崗敬業(yè),恪守學(xué)術(shù)規(guī)范和職業(yè)道德。 2. 具有微電子、物理、材料相關(guān)專業(yè)/學(xué)科博士學(xué)位。 3. 年齡一般在40周歲以下。 4. 須具有副高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格或海外人員達(dá)到相應(yīng)水平,或任務(wù)特需的,具有中級專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格(獲聘后按中級專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格認(rèn)定) 5. 精通半導(dǎo)體器件物理以及集成電路工藝,具有豐富的半導(dǎo)體器件和工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn),包括EBL/刻蝕/外延/ALD/CVD,器件/工藝仿真等。 6. 具有重大項(xiàng)目研究經(jīng)歷者優(yōu)先。 |
招聘 范圍 |
校內(nèi)、外 |
崗位 待遇 |
1.與學(xué)校簽訂勞動(dòng)合同,可申請學(xué)校相關(guān)住房。 2.提供有市場競爭力的薪資待遇和優(yōu)越的科研環(huán)境。 3.符合相關(guān)條件的,可按照學(xué)校規(guī)定申請子女入托入學(xué)。 |
應(yīng)聘 程序 |
1.應(yīng)聘者發(fā)送個(gè)人簡歷(包括學(xué)習(xí)研究經(jīng)歷、發(fā)表論文列表、既往研究成果、未來研究計(jì)劃等)至[email protected], 抄送到[email protected]。 2.擇優(yōu)安排面試。 3.擬聘用者報(bào)學(xué)校審批。 |
聯(lián)系 方式 |
|
截止 日期 |
2023年12月31日 |
備注 |
訂立聘用合同或者勞動(dòng)合同以前有下列情形的,不予錄用: (1)受過刑事處罰、行政拘留處罰,或者因涉嫌違法正在接受有關(guān)部門調(diào)查,尚未作出結(jié)論的; (2)受到黨(團(tuán))紀(jì)、政紀(jì)處分,處分尚未解除,或者因涉嫌違紀(jì)正在接受有關(guān)單位調(diào)查,尚未作出結(jié)論的; (3)違反高等學(xué)校教師職業(yè)行為規(guī)范的; (4)在應(yīng)聘過程中違背誠實(shí)信用或者社會公序良俗的; (5)其他不符合聘用條件的情形。 |
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