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應(yīng)聘要求

1. 具有博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康；

2. 具有材料、物理、化學(xué)、微電子、光電等學(xué)科背景；

3. 近三年曾作為第一作者至少發(fā)表了1 篇具有一定影響力的研究論文。

4. 具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和獨(dú)立工作能力；

崗位職責(zé)

二維材料/寬禁帶半導(dǎo)體前沿交叉方向

分支1, 側(cè)重寬禁帶半導(dǎo)體，材料生長(zhǎng)與器件研究:

1. 在二維材料上外延生長(zhǎng)寬禁帶半導(dǎo)體，材料表征和測(cè)試；異質(zhì)界面生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究。

2. 外延生長(zhǎng)材料器件制作和探索；異質(zhì)界面器件與物理

3. 對(duì)二維材料、柔性電子學(xué)等方向有一定了解及有相關(guān)研究經(jīng)歷者更加歡迎；

分支2, 側(cè)重二維材料, 二維材料生長(zhǎng)方向:

1. 大面積二維材料/薄膜（石墨烯、過渡金屬硫族化物等）的生長(zhǎng)，有相關(guān)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；新型二維材料的生長(zhǎng)與探索；搭建生長(zhǎng)設(shè)備等；

2. 對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體方向有一定了解及有相關(guān)研究經(jīng)歷者更加歡迎；

分支3, 側(cè)重二維材料, 二維材料異質(zhì)界面的物理和化學(xué)方向:

1. 從事二維材料/二維材料、二維材料/寬禁帶半導(dǎo)體、二維材料/功能分子等異質(zhì)界面上的物理和化學(xué)研究；探索電子學(xué)、光電或其他類型器件；

2. 對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體方向有一定了解及有相關(guān)研究經(jīng)歷者更加歡迎。

待遇

1. 選擇進(jìn)入博士后工作站的研究人員原則上稅前年薪不低于40萬元人民幣（含地方政府人才補(bǔ)貼）；獲得國(guó)家自然科學(xué)基金、中國(guó)博士后科學(xué)基金和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助者，杭州市、蕭山區(qū)財(cái)政給予相應(yīng)的配套資助；博士后出站后留科創(chuàng)中心工作，可享受杭州市、蕭山區(qū)政府安家補(bǔ)助。

2. 參與科創(chuàng)中心重大課題研究并取得顯著成績(jī)的，可獲得額外資助或津貼。

3. 提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件。

4. 提供蕭山區(qū)人才公寓或科創(chuàng)中心公寓。

5. 符合杭州市有關(guān)規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶口；

6. 在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)。

7. 符合杭州市高層次人才標(biāo)準(zhǔn)的，可協(xié)助解決子女入園入托問題。

申請(qǐng)材料

1. 個(gè)人簡(jiǎn)歷：學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷、主要研究工作內(nèi)容等；

2．表明申請(qǐng)人研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果（如學(xué)術(shù)論文、專利、獲獎(jiǎng)情況等）；

研究組簡(jiǎn)介

本研究組隸屬于浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室，和研究室內(nèi)其他方向上展開合作。該研究室在半導(dǎo)體材料專家楊德仁院士指導(dǎo)下開展工作，研究室主任是皮孝東教授。浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心（以下簡(jiǎn)稱科創(chuàng)中心）是新時(shí)代浙江大學(xué)和杭州市全面深化市校戰(zhàn)略合作共建的重大科技創(chuàng)新平臺(tái)，是浙江省打造“互聯(lián)網(wǎng)+”、生命健康和新材料三大科創(chuàng)高地的重大標(biāo)志性工程。目前科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院正發(fā)展具有從材料到系統(tǒng)集成的全鏈條研發(fā)能力，擁有國(guó)際一流的大型儀器設(shè)備和超凈實(shí)驗(yàn)室等研發(fā)設(shè)施。

申請(qǐng)方法：

方式一