發(fā)布:2022-06-26 17:29:56 關(guān)注:42926次
一、課題組簡介
實驗室簡介:浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料相關(guān)的基礎(chǔ)研究,重點突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體的生長、加工、外延及成套裝備,解決一系列寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“卡脖子”技術(shù)難題,推動寬禁帶半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展,提高我國在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際競爭力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學(xué)術(shù)帶頭人,已有成員50多人。擁有中國科學(xué)院院士1人、浙江大學(xué)和浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心雙聘教授2人、科創(chuàng)百人5人、博士后和技術(shù)開發(fā)專家21人,工程師13人,博士占比54%。研究室成立至今在advanced functional materials、physical review applied、applied physics letters、acs applied materials and interfaces、journal of materials chemistry a、journal of materials chemistry c、advanced electronic materialsl等國際期刊發(fā)表sci論文40余篇,申請國家發(fā)明專利70余項,其中授權(quán)12項,申請實用新型專利30余項,其中授權(quán)17項。
主要負(fù)責(zé)人簡介:宋立輝,求是科創(chuàng)學(xué)者(“科創(chuàng)百人計劃”研究員),浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室。2010年本科畢業(yè)于浙江大學(xué),2011-2015年在澳大利亞新南威爾士大學(xué)完成研究生學(xué)習(xí),取得博士學(xué)位。2016-2021年任職于杭州電子科技大學(xué),擔(dān)任副教授。宋立輝博士長期從事先進(jìn)光伏技術(shù)(晶硅方向),第三代半導(dǎo)體材料(碳化硅方向)的研究。近年來,在prog in photovoltaics、solar rrl、solar energy materials and solar cells、solar energy、appl. phys. lett.等國際知名期刊發(fā)表論文50余篇。完成晶硅太陽能電池方向英語學(xué)術(shù)專著2本,授權(quán)中國發(fā)明專利3項,國際(多國)發(fā)明專利6項,其中國際發(fā)明專利“advanced hydrogenation of silicon solar cells”(主要發(fā)明人之一)廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)領(lǐng)域,取得數(shù)百億元經(jīng)濟(jì)效益。主持國家自然科學(xué)基金項目、浙江省基礎(chǔ)科研經(jīng)費項目等多項科研基金。此外,擔(dān)任prog in photovoltaics、solar energy materials and solar cells, solar energy等國際知名期刊的審稿人。
二、重點引進(jìn)方向
寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅的缺陷工程與雜質(zhì)調(diào)控(滿足其一即可)
方向1,探索碳化硅材料中缺陷與雜質(zhì)的基本性質(zhì);
方向2,探索碳化硅材料中缺陷與雜質(zhì)的檢測方法;
方向3,探索碳化硅材料中缺陷與雜質(zhì)的消除或鈍化方法;
方向4,探索碳化硅材料的輻照效應(yīng)和抗輻照研究。
三、申請條件
1.具有博士學(xué)位,品學(xué)兼優(yōu),身心健康;
2.具有材料、物理、光電、化學(xué)等學(xué)科背景;
3.近三年曾作為第一作者至少發(fā)表了1篇具有一定影響力的研究論文;
4.具有良好的英語聽說讀寫能力;
5.近五年內(nèi)獲得博士學(xué)位,品學(xué)兼優(yōu),身心健康,年齡原則上不超過35周歲;
6.熟悉碳化硅(sic)的缺陷工程的表征技術(shù)者優(yōu)先。
四、待遇及保障條件
1.根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬(含地方政府人才補助),具體面議(應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補貼10萬元);
2.對獲得中國博士后科學(xué)基金資助和省級博士后科研項目資助的,杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助;
3.提供一流的實驗與科學(xué)研究條件;
4.協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房;
5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者,如符合相應(yīng)要求,可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位;
6.在站期間,符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務(wù);出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱,并可獲得地方政府80萬人才補貼。
五、申請材料
1.個人簡歷;
2.表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果(如:獲獎情況、鑒定、項目、學(xué)術(shù)論文等)及佐證材料;
3.博士學(xué)位論文。
申請人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱:,附件和郵件主題均以“宋立輝課題組+博士后+姓名+高校人才網(wǎng)”標(biāo)明。
六、聯(lián)系方式:
聯(lián)系人:劉老師
聯(lián)系電話:0571-82990656
地址:浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號
特別提示:請按照公告報名方式及官方要求進(jìn)行簡歷投遞!
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